[发明专利]半导体结构及高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一超晶格结构，设置于一基底上；

一电隔离层，设置于所述超晶格结构上；

一通道层，设置于所述电隔离层上；以及

一组成渐变层，设置于所述电隔离层与所述超晶格结构之间，其中所述组成渐变层与所述超晶格结构包含一相同的第三族元素，且在所述组成渐变层中的所述相同的第三族元素的原子百分比从所述超晶格结构到所述电隔离层的方向上逐渐减少。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一拉伸应力层，设置于所述超晶格结构与所述组成渐变层之间，其中所述拉伸应力层包含所述相同的第三族元素。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述拉伸应力层中的所述相同的第三族元素的平均原子浓度高于所述组成渐变层中的所述相同的第三族元素的平均原子浓度。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述组成渐变层的组成包括氮化铝镓Al_xGa_(1-x)N，其中0.1x0.5，且x值从所述超晶格结构到所述电隔离层的方向上逐渐减少，所述拉伸应力层的组成包括氮化铝。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述电隔离层包括碳掺杂的氮化镓。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述拉伸应力层的厚度为所述电隔离层厚度的0.2％到2％。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述组成渐变层包含一掺质，且所述掺质包括碳或铁。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电隔离层包含另一第三族元素，且所述组成渐变层包含所述另一第三族元素，在所述组成渐变层中的所述另一第三族元素的原子百分比从所述超晶格结构到所述电隔离层的方向上逐渐增加。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电隔离层包含一碳掺质，且在所述电隔离层中的所述碳掺质的浓度从所述组成渐变层到所述通道层的方向上逐渐增加。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述组成渐变层中的所述相同的第三族元素的平均原子浓度低于所述超晶格结构中的所述相同的第三族元素的平均原子浓度。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述超晶格结构包括复数个成对堆叠的一第一超晶格层和一第二超晶格层，所述第一超晶格层具有拉伸应力，所述第二超晶格层具有压缩应力，且所述第二超晶格层堆叠于所述第一超晶格层上，所述组成渐变层中的所述相同的第三族元素的平均原子浓度高于所述些第二超晶格层中的所述相同的第三族元素的平均原子浓度。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述组成渐变层的厚度为所述电隔离层厚度的0.5％到5％。

13.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

一如权利要求1所述的半导体结构；

一阻障层，设置于所述通道层上；

一掺杂半导体盖层，设置于所述阻障层上；

一栅极电极，设置于所述掺杂半导体盖层上；以及

一源极电极和一漏极电极，分别设置于所述栅极电极的两侧。