[发明专利]浅沟槽隔离能力测试结构及其测试方法在审
| 申请号： | 202110728159.5 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113488451A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 徐敏;朱月芹;陈雷刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G11C29/50;G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离能力测试结构及其测试方法，应用于半导体领域。在本发明实施例中，在衬底中限定呈梳状结构的第一有源区和第二有源区，并使第一有源区的多个齿部与第二有源区的多个齿部交错设置，从而在第一有源区的齿部和与第一有源区的齿部相邻的第二有源区的齿部之间形成浅沟槽隔离结构，然后在第一有源区梳状结构的柄部和第二有源区梳状结构的柄部上形成第一金属插塞和第二金属插塞，再通过所述第一金属插塞和所述第二金属插塞对所述浅沟槽隔离结构进行浅沟槽隔离能力测试，从而可快速地实现浅沟槽隔离能力检测，并能有效节省客户晶圆损失。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 能力 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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