[发明专利]MOSFET检测电路及方法有效
| 申请号： | 202110726619.0 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113447789B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡浩;周鹏书;雷华;欧阳婷;岑有重;李毅飞 | 申请（专利权）人： | 深圳赛意法微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 曾令军 |
| 地址： | 518038 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开MOSFET检测电路和检测方法，通过对现有MOSFET雪崩击穿检测电路进行改进，引入驱动MOSFET作为电路开关，从而使得待测MOSFET不需要再在电路中作为电路开关使用，从而使得待测MOSFET的栅极上不需要接入启动电压，避免了栅极寄生电容对雪崩击穿电压变化时间的影响，使得获得的待测MOSFET的电压变化率提高，以满足实际应用中对MOSFET的电压变化率的要求。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 检测 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳赛意法微电子有限公司，未经深圳赛意法微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110726619.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种集中供液系统
- 下一篇：一种锂离子隔膜成孔油用抗氧化安定剂生产制备方法
