[发明专利]MOSFET检测电路及方法有效
| 申请号： | 202110726619.0 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113447789B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡浩;周鹏书;雷华;欧阳婷;岑有重;李毅飞 | 申请（专利权）人： | 深圳赛意法微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 曾令军 |
| 地址： | 518038 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 检测 电路 方法 | ||
1.一种MOSFET检测电路，其特征在于：所述检测电路用于检测NMOSFET的电压变化率，包括驱动子电路和检测子电路；
所述驱动子电路包括驱动NMOSFET、电感L、第一直流电源和第二直流电源；所述第一直流电源提供驱动NMOSFET栅极的电压Vgs，用于打开或者关闭所述驱动NMOSFET；所述第二直流电源的正极连接所述驱动NMOSFET的漏极，负极连接所述驱动NMOSFET的源极；在所述驱动NMOSFET的漏极与所述第二直流电源的正极之间串联所述电感L；
所述检测子电路用于安装待检测NMOSFET，所述检测子电路中设置有检测仪器；所述检测子电路包括第一连接点和第二连接点，所述第一连接点连接至所述驱动NMOSFET的漏极；所述第二连接点连接至所述驱动NMOSFET的源极；所述第一连接点用于连接待测NMOSFET的漏极，所述第二连接点用于连接待测NMOSFET的源极。
2.一种MOSFET检测电路，其特征在于：所述检测电路用于检测PMOSFET的电压变化率，包括驱动子电路和检测子电路；
所述驱动子电路包括驱动PMOSFET、电感L、第一直流电源和第二直流电源；所述第一直流电源提供驱动PMOSFET栅极的电压Vgs，用于打开或者关闭所述驱动PMOSFET；所述第二直流电源的正极连接所述驱动PMOSFET的源极，负极连接所述驱动PMOSFET的漏极；在所述驱动PMOSFET的源极与所述第二直流电源的正极之间串联所述电感L；
所述检测子电路用于安装待检测PMOSFET，所述检测子电路中设置有检测仪器；所述检测子电路包括第一连接点和第二连接点，所述第一连接点连接至所述驱动PMOSFET的漏极；所述第二连接点连接至所述驱动PMOSFET的源极；所述第一连接点用于连接待测PMOSFET的漏极，所述第二连接点用于连接待测PMOSFET的源极。
3.如权利要求1或2所述的MOSFET检测电路，其特征在于，所述驱动NMOSFET或驱动PMOSFET统称为驱动MOSFET，所述第一直流电源为脉冲电源，用于为驱动MOSFET提供脉冲电压，在所述脉冲电源与所述驱动MOSFET之间串联有脉宽调制器，所述脉宽调制器用于调节脉冲电源输出至驱动MOSFET栅极的脉冲电压。
4.如权利要求3所述的MOSFET检测电路，其特征在于，所述待测NMOSFET或所述待测PMOSFET统称为待测MOSFET，所述驱动MOSFET的击穿电压为DriverMosBVdss，所述待测MOSFET的击穿电压为DUT BVdss,满足DriverMosBVdss不小于DUT BVdss的1.2倍。
5.如权利要求4所述的MOSFET检测电路，其特征在于，所述DUT BVdss不大于100V。
6.如权利要求3的MOSFET检测电路，其特征在于，所述驱动子电路还包括电容C，所述电容C的两个电极分别连接第二直流电源的正极和负极。
7.如权利要求5的MOSFET检测电路，其特征在于，所述检测子电路还包括第三连接点，所述第三连接点与所述第二连接点短接，所述第三连接点用于连接所述待测MOSFET的栅极。
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