[发明专利]MOSFET检测电路及方法

说明书

本发明公开MOSFET检测电路和检测方法，通过对现有MOSFET雪崩击穿检测电路进行改进，引入驱动MOSFET作为电路开关，从而使得待测MOSFET不需要再在电路中作为电路开关使用，从而使得待测MOSFET的栅极上不需要接入启动电压，避免了栅极寄生电容对雪崩击穿电压变化时间的影响，使得获得的待测MOSFET的电压变化率提高，以满足实际应用中对MOSFET的电压变化率的要求。

技术领域

本发明涉及对电子元器件的检测领域，尤其涉及对 MOSFET((Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管)进行检测的电路及方法。

背景技术

功率MOSFET是应用十分广泛的半导体器件，常用于高频开关电路中。在一般的应用中，并不需要关注MOSFET的电压变化率。但在某些特定的应用中，主要是开关的影响，导致电路的电压变化率很快，如果MOSFET的电压变化率不符合要求，则有可能会导致MOSFET的错误工作或者永久损害(即MOSFET的耐压不够)。因此，在这些特定应用中的MOSFET的电压变化率就非常重要，需要对其电压变化率是否满足要求进行检测。但是现有技术并没有提供可以很好检测上述特定应用中MOSFET的电压变化率的技术方案。因此，提供一种可以检测 MOSFET的电压变化率是否满足要求的技术方案非常必要。

其中，上述MOSFET电压变化率用dv/dt表示,是指MOSFET开关瞬间，其漏极和源极之间的电压V_DS的变化速率。

发明内容

本发明实施例针对某些特定应用中对MOSFET的电压变化率的要求，提供一种MOSFET电压变化率的检测电路，可以检测出其电压变化率是否满足要求，从而将不符合要求的MOSFET挑出，以免不符合要求的MOSFET在电路中起不到应有的作用或者被损害导致电路的失效。同时，提供使用上述检测电路检测MOSFET 电压变化率的方法，用于将符合要求电压变化率要求的MOSFET挑选出来应用到特定的电路应用中，保证该特定电路的运行。

一种MOSFET检测电路，用于检测NMOSFET的电压变化率，包括驱动子电路和检测子电路；

所述驱动子电路包括驱动NMOSFET、电感L、第一直流电源和第二直流电源；所述第一直流电源提供驱动NMOSFET栅极的电压Vgs，用于打开或者关闭所述驱动NMOSFET；所述第二直流电源的正极连接所述驱动NMOSFET的漏极，负极连接所述驱动NMOSFET的源极；在所述驱动NMOSFET的漏极与所述第二直流电源的正极之间串联所述电感L；

所述检测子电路用于安装待检测NMOSFET，所述检测子电路中设置有检测仪器；所述检测子电路包括第一连接点和第二连接点，所述第一连接点连接至所述驱动NMOSFET的漏极；所述第二连接点连接至所述驱动NMOSFET的源极；所述第一连接点用于连接待测NMOSFET的漏极，所述第二连接点用于连接待测 NMOSFET的源极。

一种MOSFET检测电路，用于检测PMOSFET的电压变化率，包括驱动子电路和检测子电路；

所述驱动子电路包括驱动PMOSFET、电感L、第一直流电源和第二直流电源；所述第一直流电源提供驱动PMOSFET栅极的电压Vgs，用于打开或者关闭所述驱动PMOSFET；所述第二直流电源的正极连接所述驱动PMOSFET的源极，负极连接所述驱动PMOSFET的漏极；在所述驱动PMOSFET的源极与所述第二直流电源的正极之间串联所述电感L；

所述检测子电路用于安装待检测PMOSFET，所述检测子电路中设置有检测仪器；所述检测子电路包括第一连接点和第二连接点，所述第一连接点连接至所述驱动PMOSFET的漏极；所述第二连接点连接至所述驱动PMOSFET的源极；所述第一连接点用于连接待测PMOSFET的漏极，所述第二连接点用于连接待测 PMOSFET的源极。