[发明专利]功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110724386.0 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113451416B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 郭锦鹏;蔡文必;郭飞;周永田;胡洪兴;陶永洪;王勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L23/31;H01L21/329;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的有源区和边缘终端区；设置于宽带隙漂移层上，且被配置为从有源区边缘开始覆盖边缘终端区表面的第一钝化层；设置于有源区上且与有源区之间为肖特基接触的金属电极层；金属电极层具有高出第一钝化层的台阶，台阶具有朝向第一钝化层且与第一钝化层相接的第一侧面，在相接处形成有朝向边缘终端区的第一夹角a2；填充第一夹角a2的第一材料层；设置于第一材料层上的第二钝化层；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，第二钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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