[发明专利]功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

宽带隙衬底；

设置于所述宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；

设置于所述宽带隙漂移层中的有源区和边缘终端区，所述有源区和所述边缘终端区从所述宽带隙漂移层内向背离所述宽带隙衬底的表面延伸；

设置于宽带隙漂移层上的第一钝化层，所述第一钝化层被配置为从所述有源区边缘开始覆盖所述边缘终端区表面；

设置于所述有源区上的金属电极层，所述金属电极层与所述有源区之间为肖特基接触；

所述金属电极层具有高出所述第一钝化层的台阶，所述台阶具有朝向所述第一钝化层的第一侧面，所述第一侧面与所述第一钝化层相接，在相接处形成有朝向所述边缘终端区的第一夹角a2；

填充所述第一夹角a2的第一材料层，所述第一材料层设置在所述金属电极层和所述第一钝化层上；

设置于所述第一材料层上的第二钝化层；

所述第一材料层的材料的膨胀系数为a，所述金属电极层的材料的膨胀系数为b，所述第二钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc；

在所述金属电极层向所述第一钝化层延伸的方向上，所述第一材料层被配置为以斜坡的方式延伸；

在同一截面内，所述第一材料层被配置为所述第一钝化层与所述金属电极层的接触点为d1，在所述斜坡上具有与所述d1距离最短的点d2，在所述d2处延所述斜坡的延伸的方向上做切线，所述切线与所述宽带隙漂移层所在平面形成第二夹角q，其中，30°≤q≤45°。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一材料层的材料为聚酰亚胺；

和/或，所述第一钝化层的材料为氧化硅；

和/或，所述第二钝化层的材料为氧化硅或氮化硅。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述台阶的高度为h，所述第一材料层设置在所述第一侧面和所述第一钝化层上，所述第一材料层至少在高于台阶1/2h高度处，从所述金属电极层向所述第一钝化层延伸，所述第二钝化层至少覆盖所述第一材料层表面。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述金属电极层背离所述宽带隙漂移层的表面具有用于电气连接的焊接区，所述第一材料层从所述焊接区边缘向所述第一钝化层延伸，所述第二钝化层覆盖所述第一材料层表面；或者，

所述金属电极层具有背离所述宽带隙漂移层的第一表面，所述第一材料层从所述第一表面边缘向所述第一钝化层延伸，所述第二钝化层覆盖所述第一材料层表面。

5.一种功率器件，其特征在于，包括：

宽带隙衬底；

设置于所述宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；

设置于所述宽带隙漂移层中的有源区，所述有源区从带隙漂移层内向背离所述宽带隙衬底的表面延伸；

设置于宽带隙漂移层上的第一钝化层，所述第一钝化层从所述有源区边缘向背离所述有源区的方向延伸；

设置于所述有源区上的金属电极层，所述金属电极层与所述有源区之间为肖特基接触，所述金属电极层高出所述第一钝化层设置，且与所述第一钝化层相接；

覆盖所述金属电极层和第一钝化层的相接处的第一材料层，所述第一材料层设置在所述金属电极层和所述第一钝化层上；

设置于所述第一材料层上的第二钝化层；

所述第一材料层的材料的膨胀系数为a，所述金属电极层的材料的膨胀系数为b，所述第二钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc；

在所述金属电极层向所述第一钝化层延伸的方向上，所述第一材料层被配置为以斜坡的方式延伸；

在同一截面内，所述第一材料层被配置为所述第一钝化层与所述金属电极层的接触点为d1，在所述斜坡上具有与所述d1距离最短的点d2，在所述d2处延所述斜坡的延伸的方向上做切线，所述切线与所述宽带隙漂移层所在平面形成第二夹角q，其中，30°≤q≤45°。

6.根据权利要求5所述的功率器件，其特征在于，所述第一材料层的材料为聚酰亚胺；

和/或，所述第一钝化层的材料为氧化硅；

和/或，所述第二钝化层的材料为氧化硅或氮化硅。