[发明专利]具有复合层结构的高压MIS-HEMT器件有效
| 申请号： | 202110710345.6 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113394284B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 罗谦;范镇;姜玄青 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有复合层结构的高压MIS‑HEMT器件，包括：衬底、设置在衬底上的故意掺杂P型杂质的Al |
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| 搜索关键词： | 具有 复合 结构 高压 mis hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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