专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有表面耐压结构的n沟道LDMOS器件及其制备方法-CN202010179873.9有效
  • 罗谦;文厚东;姜玄青;范镇 - 电子科技大学
  • 2020-03-16 - 2023-04-25 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种具有表面耐压结构的n沟道LDMOS器件,属于半导体技术领域。本发明针对n沟道LDMOS器件提出了一种表面超结结构,通过在器件漂移区表面制备梳指状的p型半导体条块,并将该p型半导体条块与栅极进行电学连接,可在关断条件下实现漂移区沟道大范围耗尽,该耗尽区可耐受较高电压,从而器件击穿特性得以增强。另一方面,与传统超结相比,梳指状p型表面耐压结构制备在漂移区表面,不用嵌入在器件漂移区内部,对工艺的要求降低。同时,由于和栅极连接的梳指状p型表面耐压结构仅覆盖小部分漂移区面积,当器件导通时,与其关联的寄生电阻和寄生电容也相对较小,这使得器件具有相对较好的直流导通特性和高频特性。
  • 一种具有表面耐压结构沟道ldmos器件及其制备方法
  • [发明专利]一种高耐压的p沟道LDMOS器件及其制备方法-CN202010180007.1有效
  • 罗谦;文厚东;姜玄青;范镇 - 电子科技大学
  • 2020-03-16 - 2023-04-25 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种高耐压的p沟道LDMOS器件,属于半导体技术领域。本发明针对p沟道LDMOS器件提出了一种表面超结结构,通过在器件漂移区表面制备梳指状的n型半导体条块,并将该n型半导体条块与源极进行电学连接,可在关断条件下实现漂移区沟道大范围耗尽,该耗尽区可耐受较高电压,从而器件击穿特性得以增强。另一方面,与传统超结相比,梳指状n型表面耐压结构制备在漂移区表面,不用嵌入在器件漂移区内部,对工艺的要求降低。同时,由于和源极连接的梳指状n型表面耐压结构仅覆盖小部分漂移区面积,当器件导通时,与其关联的寄生电阻和寄生电容也相对较小,这使得器件具有相对较好的直流导通特性和高频特性。
  • 一种耐压沟道ldmos器件及其制备方法
  • [发明专利]具有复合层结构的高压MIS-HEMT器件-CN202110710345.6有效
  • 罗谦;范镇;姜玄青 - 电子科技大学
  • 2021-06-25 - 2023-04-14 - H01L29/778
  • 本发明提供一种具有复合层结构的高压MIS‑HEMT器件,包括:衬底、设置在衬底上的故意掺杂P型杂质的AlxGa1‑xN层,0x1,设置在AlxGa1‑xN层上的非故意掺杂的GaN层、设置在GaN层表面上的漏极以及非故意掺杂的条纹状AlyGa1‑yN层,xy≤1,条纹状AlyGa1‑yN层为从漏区向源区方向延伸的平行条状区域,这些条状区域不与漏区直接接触,条纹状AlyGa1‑yN层表面上设有源极、栅极;本发明提出的MIS‑HEMT器件在保证高击穿电压的同时实现了较小的寄生电容,适用于对于输出功率和工作频率均有较高要求的应用领域。
  • 具有复合结构高压mishemt器件
  • [发明专利]具有复合层结构的高压HEMT器件-CN202110709031.4有效
  • 罗谦;范镇;姜玄青 - 电子科技大学
  • 2021-06-25 - 2023-04-14 - H01L29/778
  • 本发明提供一种具有复合层结构的高压HEMT器件,包括:衬底、设置在衬底上的非故意掺杂的AlxGa1‑xN层,设置在AlxGa1‑xN层上的非故意掺杂的GaN层、设置在GaN层表面上非故意掺杂的梳指状AlyGa1‑yN层,梳指状AlyGa1‑yN层为从漏区向源区方向延伸的平行的AlyGa1‑yN条状区域,这些条状区域在漏区及漂移区邻近漏区的部分连为一体,梳指状AlyGa1‑yN层表面上设有源极、漏极和栅极;本发明提出的HEMT器件在保证高击穿电压的同时实现了较小的寄生电容,适用于对于输出功率和工作频率均有较高要求的应用领域。
  • 具有复合结构高压hemt器件
  • [发明专利]一种具有表面耐压结构的p沟道LDMOS器件及其制备方法-CN202010179875.8有效
  • 罗谦;文厚东;姜玄青;范镇 - 电子科技大学
  • 2020-03-16 - 2023-04-07 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种具有表面耐压结构的p沟道LDMOS器件,属于半导体技术领域。本发明针对p沟道LDMOS器件提出了一种表面超结结构,通过在器件漂移区表面制备梳指状的n型半导体条块,并将该n型半导体条块与栅极进行电学连接,可在关断条件下实现漂移区沟道大范围耗尽,该耗尽区可耐受较高电压,从而器件击穿特性得以增强。另一方面,与传统超结相比,梳指状n型表面耐压结构制备在漂移区表面,不用嵌入在器件漂移区内部,对工艺的要求降低。同时,由于和栅极连接的梳指状n型表面耐压结构仅覆盖小部分漂移区面积,当器件导通时,与其关联的寄生电阻和寄生电容也相对较小,这使得器件具有相对较好的直流导通特性和高频特性。
  • 一种具有表面耐压结构沟道ldmos器件及其制备方法
  • [发明专利]一种高耐压的n沟道LDMOS器件及其制备方法-CN202010179995.8有效
  • 罗谦;文厚东;姜玄青;范镇 - 电子科技大学
  • 2020-03-16 - 2023-01-31 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种高耐压的n沟道LDMOS器件,属于半导体技术领域。本发明针对n沟道LDMOS器件提出了一种表面超结结构,通过在器件漂移区表面制备梳指状的p型半导体条块,并将该p型半导体条块与源极进行电学连接,可在关断条件下实现漂移区沟道大范围耗尽,该耗尽区可耐受较高电压,从而器件击穿特性得以增强。另一方面,与传统超结相比,梳指状p型表面耐压结构制备在漂移区表面,不用嵌入在器件漂移区内部,对工艺的要求降低。同时,由于和源极连接的梳指状p型表面耐压结构仅覆盖小部分漂移区面积,当器件导通时,与其关联的寄生电阻和寄生电容也相对较小,这使得器件具有相对较好的直流导通特性和高频特性。
  • 一种耐压沟道ldmos器件及其制备方法
  • [发明专利]一种连接器引脚折弯装置-CN201711433594.5在审
  • 张荣成;范镇;朱文琴 - 镇江泛沃新能汽车技术股份有限公司
  • 2017-12-26 - 2018-05-15 - B21F1/00
  • 本发明涉及一种连接器引脚折弯装置,包括机架、折弯机构、推杆机构和升降气缸,推杆机构位于引脚的前方且前端可伸出并紧抵于引脚上,升降气缸位于机架顶部,折弯机构与升降气缸的输出端固定连接并可在升降气缸的带动下上下移动,折弯机构包括连接座、折弯板、齿轮和翻转气缸,连接座与升降气缸的输出端固定连接,连接座内设有转轴,转轴与连接座转动连接,折弯板固定在转轴上,转轴一端伸出连接座并与齿轮的轴部固定连接,翻转气缸位于齿轮一侧,翻转气缸的输出端设有齿条,齿条与所述齿轮啮合;该装置通过推杆在引脚前方抵住,折弯板下降到引脚后部,通过齿轮转动带动折弯板翻转来实现引脚向前弯折。
  • 一种连接器引脚折弯装置
  • [发明专利]一种连接器引脚折弯机-CN201711437776.X在审
  • 张荣成;范镇;沈晓斌 - 镇江泛沃新能汽车技术股份有限公司
  • 2017-12-26 - 2018-05-01 - B21F1/00
  • 本发明涉及一种连接器引脚折弯包括机架、步进装置、推杆装置、折弯装置和检测装置,机架上设有若干个工位,连接器在工位上依次移动,折弯装置包括升降气缸、连接座、折弯板、齿轮和翻转气缸,所述升降气缸固定在机架上,升降气缸的输出端与连接座固定连接,连接座内设有转轴,转轴与连接座转动连接,折弯板固定在转轴上,转轴一端伸出连接座并与齿轮的轴部固定连接,翻转气缸位于齿轮一侧,翻转气缸的输出端设有齿条,齿条与所述齿轮啮合,折弯板可在升降气缸的带动下上下运动,并可在翻转气缸的带动下随转轴转动;该装置通过推杆在引脚前方抵住,折弯板下降到引脚后部,通过齿轮转动带动折弯板翻转来实现引脚向前弯折。
  • 一种连接器引脚折弯

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