[发明专利]一种双层钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在审
申请号: | 202110709071.9 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113437223A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 杨世和;王健 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州艾维专利商标代理事务所(普通合伙) 44739 | 代理人: | 黄强 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种双层钙钛矿薄膜、钙钛矿双波段光电探测器及其制备方法和应用。根据本发明制备获得的双层钙钛矿薄膜,底层为宽带隙钙钛矿,顶层为窄带隙钙钛矿,利用一种新颖的气‑液‑固法在透明导电基底上连续沉积而成。进一步的本发明提供了一种双波段光电探测器,依次相连的基底、双层钙钛矿薄膜、电子传输层、界面修饰层、电极。电子传输层和界面修饰层使用旋涂法或蒸镀法沉积在钙钛矿薄膜上,采用蒸镀法制备电极。本发明的产品具有短波长与长波长的响应方向相反,空气中稳定、成本低等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 双层 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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