[发明专利]一种双层钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202110709071.9 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN113437223A 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 杨世和;王健 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 广州艾维专利商标代理事务所(普通合伙) 44739 代理人: 黄强
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种双层钙钛矿薄膜、钙钛矿双波段光电探测器及其制备方法和应用。根据本发明制备获得的双层钙钛矿薄膜,底层为宽带隙钙钛矿,顶层为窄带隙钙钛矿,利用一种新颖的气‑液‑固法在透明导电基底上连续沉积而成。进一步的本发明提供了一种双波段光电探测器,依次相连的基底、双层钙钛矿薄膜、电子传输层、界面修饰层、电极。电子传输层和界面修饰层使用旋涂法或蒸镀法沉积在钙钛矿薄膜上,采用蒸镀法制备电极。本发明的产品具有短波长与长波长的响应方向相反,空气中稳定、成本低等优点。
搜索关键词: 一种 双层 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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