[发明专利]微发光二极管转移方法及制造方法有效
| 申请号： | 202110704729.7 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113421839B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 田露 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微发光二极管转移方法及制造方法。微发光二极管转移方法包括：微发光二极管通过第一接合层被接合在承载衬底上；在承载衬底上涂覆牺牲层，所述牺牲层完全覆盖微发光二极管及其之间的空隙；对牺牲层进行构图，以暴露要拾取的微发光二极管；通过第二接合层将要拾取的微发光二极管接合到拾取衬底；通过侧向钻蚀去除牺牲层；从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管；通过第三接合层将拾取衬底上的微发光二极管接合到接收衬底；以及从拾取衬底剥离所述微发光二极管；其中，第一接合层和第三接合层的剥离特性和第二接合层的剥离特性不同。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 转移 方法 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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