[发明专利]微发光二极管转移方法及制造方法

说明书

本发明公开了一种微发光二极管转移方法及制造方法。微发光二极管转移方法包括：微发光二极管通过第一接合层被接合在承载衬底上；在承载衬底上涂覆牺牲层，所述牺牲层完全覆盖微发光二极管及其之间的空隙；对牺牲层进行构图，以暴露要拾取的微发光二极管；通过第二接合层将要拾取的微发光二极管接合到拾取衬底；通过侧向钻蚀去除牺牲层；从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管；通过第三接合层将拾取衬底上的微发光二极管接合到接收衬底；以及从拾取衬底剥离所述微发光二极管；其中，第一接合层和第三接合层的剥离特性和第二接合层的剥离特性不同。

技术领域

本发明涉及微发光二极管，更具体地，涉及一种微发光二极管转移方法和用于制造微发光二极管装置的方法。

背景技术

微发光二极管(Micro LED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。目前，微发光二极管技术正开始发展，工业界正期待有高品质、高产量的微发光二极管产品进入市场。高品质、高产量的微发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

一直以来，如何向微发光二极管装置的接收衬底转移微发光二极管是本领域技术人员是技术人员试图改进的技术任务。

在现有技术中，通过拾取头来转移微发光二极管。采用拾取头的方式比较复杂，并且在产量和可靠性方面存在问题。

例如，美国专利US 8,333,860B1公开了一种微器件传送头以及向接收衬底传送一个或多个微器件的方法。该专利在此全部引入作为参考。

美国专利US 8,426,227B1公开了一种微发光二极管和一种形成用于向接收衬底传送的微发光二极管阵列的方法。该专利在此全部引入作为参考。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种微发光二极管转移的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种微发光二极管转移方法，包括：

微发光二极管通过第一接合层被接合在承载衬底上；在承载衬底上涂覆牺牲层，所述牺牲层完全覆盖微发光二极管及其之间的空隙；

对牺牲层进行构图，以暴露要拾取的微发光二极管；

通过第二接合层将要拾取的微发光二极管接合到拾取衬底；

通过侧向钻蚀去除牺牲层；

从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管；

通过第三接合层将拾取衬底上的微发光二极管接合到接收衬底；以及

从拾取衬底剥离所述微发光二极管；

其中，第一接合层和第三接合层的剥离特性和第二接合层的剥离特性不同。

优选地，第一接合层的熔点低于280℃，以及通过加热从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管。

优选地，所述第二接合层是热释放胶带或者是能够被紫外线固化且被激光剥离的膜。

优选地，所述牺牲层是光刻胶，以及通过光刻对所述牺牲层进行构图。

优选地，牺牲层通过蚀刻液被去除。

优选地，微发光二极管的侧面长度是1-100μm。

优选地，拾取衬底的材料包括玻璃、蓝宝石、石英和硅中的一种。

根据本发明的第二方面，提供了一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据本发明的微发光二极管转移方法将微发光二极管转移到微发光二极管装置的接收衬底上。