[发明专利]制作基片承载盘的方法、基片承载盘及其制作系统在审
| 申请号： | 202110696917.X | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN115513104A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 郭世平;胡建正;陈耀;闫龙;姜勇;王家毅 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张双红;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制作基片承载盘的方法、基片承载盘及其制作系统，所述方法包括：提供一基片承载盘，基片承载盘上设有若干个基片槽，每个基片槽具有一基片槽底面，在每一基片槽内放置一基片，基片槽底面到基片的距离相同；将基片承载盘置于一化学沉积装置中外延生长；对完成外延生长的基片的外延材料特性进行测量，并根据基片不同区域的外延材料特性得到基片在外延生长时不同区域的温度分布图；根据基片的温度分布图制作一基片槽底面高度不同的基片承载盘，温度分布图上基片温度较高的区域到其下方对应区域的基片槽底面距离大于温度较低的区域到其下方对应区域的基片槽底面距离。本发明解决了基片在生长期间其外延层的波长不均匀性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 承载 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110696917.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
