[发明专利]制作基片承载盘的方法、基片承载盘及其制作系统

权利要求书

1.一种制作基片承载盘的方法，其特征在于，包括：

提供一基片承载盘，所述基片承载盘上设有若干个基片槽，每个所述基片槽具有一基片槽底面，在每一基片槽内放置一基片，所述基片槽底面到所述基片的距离相同；

将所述基片承载盘置于一化学沉积装置中进行外延生长；

对完成外延生长的基片的外延材料特性进行测量，并根据基片不同区域的外延材料特性得到基片在外延生长时不同区域的温度分布图；

根据所述基片的温度分布图制作一基片槽底面高度不同的基片承载盘，所述温度分布图上基片温度较高的区域到其下方对应区域的基片槽底面距离大于所述温度分布图上温度较低的区域到其下方对应区域的基片槽底面距离。

2.如权利要求1所述的制作基片承载盘的方法，其特征在于，

所述对完成外延生长的基片的外延材料特性进行测量，并根据基片不同区域的外延材料特性得到基片在外延生长时不同区域的温度分布图的步骤包括：

获取整个完成外延生长的所述基片上的波长分布数据；

将所述波长分布数据与目标波长分布数据做差，得到所述波长偏差；

根据所述波长偏差的离散度将整个所述基片划分为若干个调整区，

将每一所述调整区所对应的所述波长偏差对应转换成温度偏差，所有所述调整区的所述温度偏差构成所述基片在外延生长时不同区域的温度分布图。

3.如权利要求2所述的制作基片承载盘的方法，其特征在于，所述根据所述基片的温度分布图制作一基片槽底面高度不同的基片承载盘的步骤包括：

根据每一所述调整区的所述温度偏差与所述基片槽的深度之间的对应关系，将每一所述调整区所对应的温度偏差转换成相应的所述基片槽的底部区域的深度值；

根据所述基片槽的底部相应区域的深度值，制备所述基片槽，以得到基片槽底面高度不同的所述基片承载盘。

4.如权利要求3所述的制作基片承载盘的方法，其特征在于，所述波长偏差与所述温度偏差之间的对应关系包括：每1nm～5nm波长差对应于1℃的温度偏差；

所述温度偏差与所述基片槽的深度之间的对应关系包括：每一所述1℃的温度偏差对应于5μm～10μm的所述基片槽的深度偏差。

5.如权利要求1所述的制作基片承载盘的方法，其特征在于，在所述基片承载盘上设置两个或两个以上的基片槽，各个所述基片槽的槽底高度形貌相同。

6.如权利要求1所述的制作基片承载盘的方法，其特征在于，在所述基片承载盘上设置两个或两个以上的基片槽，在每一所述基片槽内放置一基片，获取每一所述基片在外延生长时不同区域的所述温度分布图；

根据所述基片的温度分布图对应制备放置过所述基片的所述基片槽底面，所述基片槽的槽底高度相貌不完全相同。

7.一种基片承载盘，其特征在于，包括：至少一个基片槽，每一所述基片槽内设置一基片承载面，用于承载一基片，所述基片槽的底部设置具有第一高度热传导面的第一区域和具有第二高度热传导面的第二区域，根据权利要求1～6中任意一项所述的方法得到的基片的温度分布图，所述第一区域对应所述温度分布图上温度较高的区域，所述第二区域对应所述温度分布图上温度较低的区域，所述第一高度热传导面低于所述第二高度热传导面。

8.如权利要求7所述基片承载盘，其特征在于，所述基片槽个数为多个时，多个所述基片槽周向间隔设置在所述基片承载盘上，相邻的两个所述基片槽热传导面的高度分布相同或不同。

9.如权利要求7所述基片承载盘，其特征在于，

所述基片槽个数为多个时，将多个所述基片槽分为两组，包括第一组基片槽和第二组基片槽，所述第一组基片槽和第二组基片槽成同心环状分布在所述基片承载盘上，所述第一组基片槽构成所述同心环的内环，所述第二组基片槽构成所述同心环的外环，位于所述内环的每一所述基片槽的热传导面的高度分布与位于所述外环的每一所述基片槽的热传导面的高度分布相同或不同。