[发明专利]集成电路装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110691772.4 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113838862A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 金成吉;姜景文;洪慧垠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路装置，包括：外围电路结构，其布置在衬底上；栅极堆叠件，其布置在外围电路结构上，并且包括多个栅电极；以及坝结构，其形成在穿过栅极堆叠件的坝开口部分中。坝结构包括：绝缘间隔件，其位于坝开口部分的内壁处，并且包括位于坝开口部分的上侧处的一对倾斜侧壁；以及掩埋层，其填充坝开口部分的内部，并且包括空气空间。集成电路装置还包括：模制栅极堆叠件，其被坝结构围绕，并且包括多个模制层；多条导电线，其布置在栅极堆叠件上；以及多个贯通电极，其连接至多条导电线，穿过模制栅极堆叠件，并且被坝结构围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
