[发明专利]集成电路装置及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

外围电路结构，其布置在衬底上；

栅极堆叠件，其布置在所述外围电路结构上，

其中，所述栅极堆叠件包括多个栅电极，所述多个栅电极在实质上与所述衬底的顶表面垂直的第一方向上彼此间隔开；

坝结构，其形成在穿过所述栅极堆叠件的坝开口部分中，

其中，所述坝结构包括：

绝缘间隔件，其布置在所述坝开口部分的内壁上，并且包括位于所述坝开口部分的上侧处的一对倾斜侧壁；以及

掩埋层，其填充所述坝开口部分的内部，并且包括空气空间；

模制栅极堆叠件，其被所述坝结构围绕，并且包括在所述第一方向上彼此间隔开的多个模制层；

多条导电线，其布置在所述栅极堆叠件、所述模制栅极堆叠件和所述坝结构上；以及

多个贯通电极，其连接至所述多条导电线，穿过所述模制栅极堆叠件延伸至所述外围电路结构，并且被所述坝结构围绕。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，属于所述一对倾斜侧壁的侧壁在朝向所述坝开口部分的所述上侧彼此远离的方向上倾斜。

3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中，所述掩埋层还包括：

颈部，其位于所述坝开口部分的所述上侧处，

其中，属于所述一对倾斜侧壁的侧壁之间的距离在实质上与所述颈部的水平相同的竖直水平处最短。

4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述空气空间布置在比所述绝缘间隔件的所述一对倾斜侧壁的水平低的水平处，并且

所述空气空间不布置在所述掩埋层的布置在比所述颈部的水平高的水平处的部分中。

5.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述掩埋层的所述颈部在所述第一方向上具有从所述掩埋层的顶表面起的第一高度，并且所述第一高度为30nm至200nm。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述栅极堆叠件还包括：

栅极堆叠件分离开口部，其在实质上与所述衬底的所述顶表面平行的第二方向上延伸，

其中，所述坝开口部分与所述栅极堆叠件分离开口部间隔开，并且所述栅极堆叠件分离开口部在实质上与所述第二方向垂直的第三方向上的宽度实质上与所述坝结构在所述第三方向上的宽度相同。

7.根据权利要求6所述的集成电路装置，还包括：

上支撑层，其布置在所述栅极堆叠件上，并且包括与所述栅极堆叠件分离开口部竖直地重叠的多个开口部分，

其中，所述坝结构的整个顶表面被所述上支撑层覆盖。

8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述坝结构还包括：

第一侧壁；以及

第二侧壁，其与所述第一侧壁相对，

其中，所述第一侧壁接触所述多个栅电极中的至少一个，并且所述第二侧壁接触所述多个模制层中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述坝结构还包括：

绝缘衬垫，其布置在所述坝开口部分的所述内壁上，

其中，所述绝缘衬垫布置在所述栅极堆叠件与所述绝缘间隔件之间并且布置在所述模制栅极堆叠件与所述绝缘间隔件之间。

10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述模制栅极堆叠件还包括布置在所述多个模制层之间的多个绝缘层，并且所述栅极堆叠件还包括布置在所述多个栅电极之间的多个绝缘层，并且

所述模制栅极堆叠件的所述多个绝缘层中的每一个实质上与所述栅极堆叠件的所述多个绝缘层中的对应的一个共面。