[发明专利]集成电路装置及其制造方法

说明书

一种集成电路装置，包括：外围电路结构，其布置在衬底上；栅极堆叠件，其布置在外围电路结构上，并且包括多个栅电极；以及坝结构，其形成在穿过栅极堆叠件的坝开口部分中。坝结构包括：绝缘间隔件，其位于坝开口部分的内壁处，并且包括位于坝开口部分的上侧处的一对倾斜侧壁；以及掩埋层，其填充坝开口部分的内部，并且包括空气空间。集成电路装置还包括：模制栅极堆叠件，其被坝结构围绕，并且包括多个模制层；多条导电线，其布置在栅极堆叠件上；以及多个贯通电极，其连接至多条导电线，穿过模制栅极堆叠件，并且被坝结构围绕。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年6月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0077382的优先权，该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种集成电路装置及其制造方法，更具体地，涉及一种包括在竖直方向上延伸的沟道结构的集成电路装置及其制造方法。

背景技术

随着存储器装置的集成度提高，已经提出了具有竖直晶体管结构的存储器装置来代替具有现有平面晶体管结构的存储器装置。具有竖直晶体管结构的存储器装置包括在衬底上在竖直方向上延伸的沟道结构。随着存储器装置的集成度提高，在竖直方向上堆叠的栅电极层的数量增加。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供了这样的集成电路装置：尽管其具有高的竖直高度但是可以防止或减少由存储器堆叠件的弯折导致的工艺缺陷。

本发明构思的示例性实施例还提供了一种制造集成电路装置的方法，尽管该集成电路装置具有高的竖直高度，但是其可以防止或减少由存储器堆叠件的弯折导致的工艺缺陷。

根据本发明构思的示例性实施例，一种集成电路装置包括：外围电路结构，其布置在衬底上；栅极堆叠件，其布置在外围电路结构上，并且包括在基本上与衬底的顶表面垂直的第一方向上间隔开的多个栅电极；以及坝结构，其形成在穿过栅极堆叠件的坝开口部分中。坝结构包括：绝缘间隔件，其布置在坝开口部分的内壁上，并且包括位于坝开口部分的上侧处的一对倾斜侧壁；以及掩埋层，其填充坝开口部分的内部，并且包括空气空间。集成电路装置还包括：模制栅极堆叠件，其被坝结构围绕，并且包括在第一方向上间隔开的多个模制层；多条导电线，其布置在栅极堆叠件、模制栅极堆叠件和坝结构上；以及多个贯通电极，其连接至多条导电线，穿过模制栅极堆叠件延伸至外围电路结构，并且被坝结构围绕。

根据本发明构思的示例性实施例，一种集成电路装置包括：外围电路结构，其布置在衬底上；以及栅极堆叠件，其布置在外围电路结构上。栅极堆叠件包括：多个栅电极，其在基本上与衬底的顶表面垂直的第一方向上间隔开；以及栅极堆叠件分离开口部，其在基本上与衬底的顶表面平行的第二方向上延伸。集成电路装置还包括坝结构，其形成在穿过栅极堆叠件的坝开口部分中。坝结构包括：绝缘间隔件，其布置在坝开口部分的内壁上，并且包括位于坝开口部分的上侧处的一对倾斜侧壁；以及掩埋层，其填充坝开口部分的内部，并且包括空气空间。坝开口部分与栅极堆叠件分离开口部间隔开。集成电路装置还包括：模制栅极堆叠件，其被坝结构围绕，并且包括在第一方向上间隔开的多个模制层；上支撑层，其布置在栅极堆叠件上，并且包括与栅极堆叠件分离开口部竖直地重叠的多个开口部分；多条导电线，其布置在上支撑层上；以及多个贯通电极，其连接至多条导电线，穿过模制栅极堆叠件延伸至外围电路结构，并且被坝结构围绕。