[发明专利]具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构在审
| 申请号： | 202110689630.4 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113889467A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 谷曼;李文君;S·纳拉亚南 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;牛南辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构。一种集成电路(IC)结构包括具有第一纵向延伸区和第二纵向延伸区的半导体鳍。该半导体鳍具有：上鳍部，其在第一纵向延伸区和第二纵向延伸区中具有统一的横向尺寸；位于上鳍部下方的第一子鳍部，其在第一纵向延伸区中且具有第一横向尺寸；以及位于上鳍部下方的第二子鳍部，其在第二纵向延伸区中且具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸。第二子鳍可用于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的漏极扩展区中。无论LDMOS器件的类型如何，第二子鳍都减小了子鳍电流，并且提高了HCI可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 尺寸 不同 延伸 ic 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司，未经格芯（美国）集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110689630.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
