[发明专利]具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包括：

具有第一纵向延伸区和第二纵向延伸区的半导体鳍，所述半导体鳍具有：

上鳍部，其在所述第一纵向延伸区和所述第二纵向延伸区中具有统一的横向尺寸，

位于所述上鳍部下方的第一子鳍部，其在所述第一纵向延伸区中且具有第一横向尺寸，以及

位于所述上鳍部下方的第二子鳍部，其在所述第二纵向延伸区中且具有不同于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸。

2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第二横向尺寸小于所述第一横向尺寸。

3.根据权利要求2所述的IC结构，其中，所述第二子鳍部具有向内弯曲的外表面。

4.根据权利要求1所述的IC结构，其中，每个子鳍部都位于沟槽隔离内，其中，所述沟槽隔离具有邻近所述第二子鳍部的球根状横截面形状。

5.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第二子鳍部位于鳍式横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的漏极扩展区内。

6.根据权利要求5所述的IC结构，其中，所述第一子鳍部的一部分位于所述漏极扩展区内。

7.根据权利要求5所述的IC结构，其中，所述LDMOS器件包括第一栅极结构和第二浮置栅极结构，其中，所述第二浮置栅极结构位于所述漏极扩展区上方。

8.根据权利要求5所述的IC结构，其中，所述LDMOS器件包括位于所述漏极扩展区内的n阱中且邻近所述漏极区的沟槽隔离。

9.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述半导体鳍包括多个鳍。

10.一种鳍式场效应晶体管FinFET横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件，包括：

具有第一纵向延伸区和第二纵向延伸区的半导体鳍，所述半导体鳍具有：

上鳍部，其在所述第一纵向延伸区和所述第二纵向延伸区中具有统一的横向尺寸，

位于所述上鳍部下方的第一子鳍部，其在所述第一纵向延伸区中且具有第一横向尺寸，以及

位于所述上鳍部下方的第二子鳍部，其在所述第二纵向延伸区中且具有不同于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸；

位于所述第一纵向延伸区的一部分中的p阱；

至少位于所述第二纵向延伸区中的n阱；

位于所述p阱中的源极区；

位于所述n阱中的漏极区；

位于所述n阱中的漏极扩展区，其中，所述第二子鳍部位于所述漏极扩展区内；以及

在所述p阱和所述n阱上方延伸的第一栅极结构。

11.根据权利要求10所述的FinFET LDMOS器件，其中，所述第二横向尺寸小于所述第一横向尺寸。

12.根据权利要求10所述的FinFET LDMOS器件，其中，所述第二子鳍部具有向内弯曲的外表面。

13.根据权利要求10所述的FinFET LDMOS器件，其中每个子鳍部都位于沟槽隔离内，其中，所述沟槽隔离具有邻近所述第二子鳍部的球根状横截面形状。

14.根据权利要求10所述的FinFET LDMOS器件，其中，所述第一子鳍部的一部分位于所述漏极扩展区内。

15.根据权利要求10所述的FinFET LDMOS器件，还包括与所述第一栅极结构间隔开的第二浮置栅极结构，其中，所述第二浮置栅极结构位于所述漏极扩展区上方。

16.根据权利要求10所述的FinFET LDMOS器件，还包括位于所述漏极扩展区内的所述n阱中且邻近所述漏极区的沟槽隔离。