[发明专利]像素感测器、像素阵列及其形成方法在审
申请号: | 202110687177.3 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN114725136A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 陈威霖;苏庆忠;周俊豪;李国政 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种像素感测器、像素阵列及其形成方法,像素阵列内的格栅结构可至少部分地朝格栅结构的顶表面倾斜或渐缩,以使格栅结构的宽度达到格栅结构的顶表面附近具有接近零的宽度。前述允许于格栅结构之间的彩色滤光片区域之间的间距在彩色滤光片区域的顶表面附近达到接近零间距,其减少及/或最小化在彩色滤光片区域的顶表面附近的彩色滤光片之间的间距。由倾斜或锥状的格栅结构所提供的彩色滤光片区域的紧密间距提供彩色滤光片区域内具有可用于入射光收集的较大表面积及体积,其可增加像素阵列的量子效率。再者,格栅结构的宽度可增加至少部分指向格栅结构的底表面,以使在靠近格栅结构的底表面具有较宽尺寸的格栅结构提供像素阵列内的像素感测器光学串扰的保护。 | ||
搜索关键词: | 像素 感测器 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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