[发明专利]一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法在审
申请号: | 202110686810.7 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113437006A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 周其斌;殷强强;唐福云 | 申请(专利权)人: | 江苏润阳世纪光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 张丽丽 |
地址: | 224007 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法,其装置包括运输网带,所述运输网带的两侧均相对设有若干金属顶针,所述金属顶针包括支撑斜杆,所述支撑斜杆上套设有软壳保护套,其方法包括:将待烧结硅片的两端分别卡放在两侧相应设置的软壳保护套上,两侧支撑斜杆与运输网带之间形成一定的角度,使硅片相对运输网带处于静止状态并能防止硅片左右偏移,软壳保护套可阻止硅片与金属顶针的硬性碰撞。本发明与现有技术相比的优点在于:可防止硅片在运输网带传送的过程中发生偏移,同时可减少硅片与金属顶针的硬性碰撞,从而降低硅片崩边与脱晶不良好的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 硅片 崩边脱晶 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏润阳世纪光伏科技有限公司,未经江苏润阳世纪光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110686810.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多源卫星遥感影像镶嵌方法、系统及存储介质
- 下一篇:一种小型化滤波器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造