[发明专利]一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法在审
申请号: | 202110686810.7 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113437006A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 周其斌;殷强强;唐福云 | 申请(专利权)人: | 江苏润阳世纪光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 张丽丽 |
地址: | 224007 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 硅片 崩边脱晶 装置 方法 | ||
本发明公开一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法,其装置包括运输网带,所述运输网带的两侧均相对设有若干金属顶针,所述金属顶针包括支撑斜杆,所述支撑斜杆上套设有软壳保护套,其方法包括:将待烧结硅片的两端分别卡放在两侧相应设置的软壳保护套上,两侧支撑斜杆与运输网带之间形成一定的角度,使硅片相对运输网带处于静止状态并能防止硅片左右偏移,软壳保护套可阻止硅片与金属顶针的硬性碰撞。本发明与现有技术相比的优点在于:可防止硅片在运输网带传送的过程中发生偏移,同时可减少硅片与金属顶针的硬性碰撞,从而降低硅片崩边与脱晶不良好的问题。
技术领域
本发明涉及硅片生产技术领域,具体是指一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法。
背景技术
太阳能电池的制造需要经过制绒、扩散、刻蚀、氧化、镀膜、丝网印刷和烧结测试这七大工序。其中,烧结工序用到烧结炉炉带,炉带上有顶针,起着稳定运输硅片的作用,由于长期以往,顶针与硅片一直碰撞摩擦,顶针表面凹痕严重,硅片在上面流动,与金属顶针直接硬性碰撞,硅片及其崩边与脱晶。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服以上的技术缺陷,提供一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法,本发明的目的是解决上述现有技术的不足,提供一种在金属顶针上套有软壳保护套的方法,减少硅片与金属顶针的硬性碰撞,从而降低硅片崩边与脱晶不良好的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供的技术方案为:一种降低硅片崩边脱晶的装置,包括运输网带,所述运输网带的两侧均相对设有若干金属顶针,所述金属顶针包括支撑斜杆,所述支撑斜杆上套设有软壳保护套,所述支撑斜杆的一端固定在运输网带上,所述支撑斜杆的另一端设有L型固定杆,所述L型固定杆远离支撑斜杆的一端与运输网带固定连接。
作为改进,所述支撑斜杆与L型固定杆一体成型,所述支撑斜杆的底端与L型固定杆的底端均通过焊接方式与运输网带固定连接。
作为改进,所述运输网带为方型丝状结构。
一种降低硅片崩边脱晶的方法,包括以下步骤:将待烧结硅片的两端分别卡放在两侧相应设置的软壳保护套上,两侧支撑斜杆与运输网带之间形成一定的角度,使硅片相对运输网带处于静止状态并能防止硅片左右偏移,软壳保护套可阻止硅片与金属顶针的硬性碰撞。
本发明与现有技术相比的优点在于:本发明通过在两侧均设置支撑斜杆可防止硅片在运输网带传送的过程中发生偏移,同时支撑斜杆上套设有软壳保护套,可减少硅片与金属顶针的硬性碰撞,从而降低硅片崩边与脱晶不良好的问题。
附图说明
图1是本发明一种降低硅片崩边脱晶的装置的结构示意图。
如图所示:1、运输网带,2、支撑斜杆,3、软壳保护套,4、L型固定杆。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明。
下面结合附图来进一步说明本发明的具体实施方式。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。
需要说明的是,下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向,词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
结合附图,一种降低硅片崩边脱晶的装置,包括运输网带1,所述运输网带1的两侧均相对设有若干金属顶针,所述金属顶针包括支撑斜杆2,所述支撑斜杆2上套设有软壳保护套3,所述支撑斜杆2的一端固定在运输网带1上,所述支撑斜杆2的另一端设有L型固定杆4,所述L型固定杆4远离支撑斜杆2的一端与运输网带1固定连接。
所述支撑斜杆2与L型固定杆4一体成型,所述支撑斜杆2的底端与L型固定杆4的底端均通过焊接方式与运输网带1固定连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造