[发明专利]一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法在审
| 申请号： | 202110686810.7 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113437006A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周其斌;殷强强;唐福云 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳世纪光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人： | 张丽丽 |
| 地址： | 224007 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 硅片 崩边脱晶 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低硅片崩边脱晶的装置，包括运输网带(1)，其特征在于：所述运输网带(1)的两侧均相对设有若干金属顶针，所述金属顶针包括支撑斜杆(2)，所述支撑斜杆(2)上套设有软壳保护套(3)，所述支撑斜杆(2)的一端固定在运输网带(1)上，所述支撑斜杆(2)的另一端设有L型固定杆(4)，所述L型固定杆(4)远离支撑斜杆(2)的一端与运输网带(1)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种降低硅片崩边脱晶的装置，其特征在于：所述支撑斜杆(2)与L型固定杆(4)一体成型，所述支撑斜杆(2)的底端与L型固定杆(4)的底端均通过焊接方式与运输网带(1)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种降低硅片崩边脱晶的装置，其特征在于：所述运输网带(1)为方型丝状结构。
4.一种降低硅片崩边脱晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：将待烧结硅片的两端分别卡放在两侧相应设置的软壳保护套(3)上，两侧支撑斜杆(2)与运输网带(1)之间形成一定的角度，使硅片相对运输网带(1)处于静止状态并能防止硅片左右偏移，软壳保护套(3)可阻止硅片与金属顶针的硬性碰撞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
