[发明专利]一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法在审
| 申请号： | 202110665166.5 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113355743A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，它属于晶体烧结剩余原料的再利用领域。本发明要解决的技术问题为简单高效利用晶体生长后的剩余烧结原料。本发明将坩埚内碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料取低石墨化区域的剩余烧结原料，制成圆柱形多晶棒，然后称量1‑1.5倍质量的碳化硅粉末放入坩埚内，之后缓慢将圆柱形多晶棒插入坩埚中心位置，圆柱形多晶棒的插入深度为使得圆柱形多晶棒上端与碳化硅粉末顶部平齐，完成坩埚内粉料的添加；在坩埚盖上粘接籽晶，盖上坩埚盖，将坩埚放入晶体生长炉内进行晶体生长，生长温度为2100‑2400℃，压力10 |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 剩余 烧结 原料 再利用 方法 | ||
【主权项】：
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