[发明专利]一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法

权利要求书

1.一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、将坩埚内碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料划分为石墨化区域(1)、部分石墨化区域(2)、低石墨化区域(3)，待用；

步骤2、取低石墨化区域(3)的剩余烧结原料，制成圆柱形多晶棒，待用；

步骤3、称量步骤2得到的圆柱形多晶棒的质量，然后称量1-1.5倍质量的碳化硅粉末，待用；

步骤4、将步骤3称量好的碳化硅粉末放入坩埚内，之后缓慢将圆柱形多晶棒插入坩埚中心位置，圆柱形多晶棒的插入深度为使得圆柱形多晶棒上端与碳化硅粉末顶部平齐，完成坩埚内粉料的添加；

步骤5、在坩埚盖上粘接籽晶，盖上坩埚盖，将坩埚放入晶体生长炉内进行晶体生长，生长过程中温度为2100-2400℃，压力10^-1-10^-3atm的氩气氛，生长时间为60-80h。

2.根据权利要求1所述的一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：步骤1中低石墨化区域(3)为以坩埚中心点为圆心的圆柱体，圆柱体的半径长度为0.1-0.75倍的坩埚半径，圆柱体的高为0.2-0.8倍的坩埚高。

3.根据权利要求2所述的一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：步骤1中低石墨化区域(3)为以坩埚中心点为圆心的圆柱体，圆柱体的半径长度为0.5倍的坩埚半径，圆柱体的高为0.6倍的坩埚高。

4.根据权利要求3所述的一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：步骤1中坩埚为6寸籽晶坩埚。

5.根据权利要求1所述的一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：步骤1中的石墨化区域(1)为靠近坩埚本体的区域。

6.根据权利要求1或2所述的一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：步骤2中圆柱形多晶棒的制备方法为用金刚线切割为圆柱形多晶棒。

7.根据权利要求6所述的一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：步骤3中碳化硅粉末和圆柱形多晶棒的质量比为1.2:1。

8.根据权利要求7所述的一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法，其特征在于：步骤4中晶体生长过程中坩埚顶部测量点的温度为2300℃，压力为10^-3atm，生长时间为70h。