[发明专利]用于加工具有两个紧密间距的栅极的半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110659926.1 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113809164A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 曾文德;R·李;S·库比西克;J·朱索特 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨洁;陈斌 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种用于加工具有两个紧密间距的栅极的半导体器件的方法，其中紧密间距意指在临界尺寸(CD)以下。该方法包括形成模板结构，其中该模板结构包括尺寸小于CD的至少一个子结构。该方法进一步包括在模板结构上和围绕模板结构形成栅极层。然后，该方法包括去除形成在模板结构上的栅极层的部分，并将剩余的栅极层图案化为包括两个栅极的栅极结构。进一步地，该方法包括选择性地去除该模板结构，其中两个栅极之间的间距由去除的子结构形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加工 具有 两个 紧密 间距 栅极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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