[发明专利]高温二极管制备方法及高温二极管有效
| 申请号： | 202110654964.8 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113380622B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 于波 | 申请（专利权）人： | 青岛海宜丰电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/50;H01L29/861 |
| 代理公司： | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人： | 王笑 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种高温二极管制备方法及高温二极管，采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺制备二极管管芯，然后将二极管管芯直接焊接到底部开槽安装有钼片的管座上，在盖管帽之前将内引线与二极管管芯焊接在一起，然后封帽，最后采用冲压方式将阴极管与内引线冲压铆接形成二极管成品，将二极管的性能提升至结温 |
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| 搜索关键词： | 高温 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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