[发明专利]高温二极管制备方法及高温二极管有效
申请号: | 202110654964.8 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113380622B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 于波 | 申请(专利权)人: | 青岛海宜丰电力电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/50;H01L29/861 |
代理公司: | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人: | 王笑 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高温 二极管 制备 方法 | ||
1.一种高温二极管制备方法,其特征在于,包括:
1)采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺制备二极管管芯;
2)将二极管管芯、管座和内引线在共晶焊炉内焊接形成半成品;其中,管座在其底面开设有凹槽,凹槽内用银铜焊料烧结有钼片;所述内引线为S型内引线;
3)采用脉冲焊模具将半成品与管帽进行熔焊封帽;所述管帽包括管帽本体和一体成型的阴极管;
4)将阴极管与内引线冲压铆接形成二极管成品;
4) 步骤具体为:采用打扁冲孔模具用冲床将阴极管与内引线冲压铆接,同时在阴极管顶部冲制安装孔;
采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺制备二极管管芯,具体包括:
硅单晶、扩散、硅片分立、P面减薄、清洗、扩散、硅片分离、吹砂、清洗、氧化、光刻电压槽、台面腐蚀、清洗、氮化硅沉积、玻璃钝化、二氧化硅、开窗、等离子刻蚀、阴面金属化、金属化、阳面金属化、合金和芯片切割;
其中,金属化包括蒸发镍、钛、银,在一个设备内一次性完成;台面造型采用刻蚀;台面保护包括四层保护:氮化硅沉积、玻璃钝化、二氧化硅以及管芯完成后最后加一层高温硅橡胶保护。
2.根据权利要求1所述的高温二极管制备方法,其特征在于,在2和3步骤之间,所述方法还包括:
镜检,检测所述半成品的焊接质量及是否有多余物;
装管帽,用氮气将管帽吹干净后套在已镜检的半成品上;
中间电测试,检查半成品的电压、漏电特性;
封前预烘,中间电测试后的半成品在100℃的烘箱中烘干第一设定时长。
3.根据权利要求1所述的高温二极管制备方法,其特征在于,在3步骤之后,所述方法还包括:
密封性检查,将封帽后的二极管加压第二设定时长后放进125℃的高温氟油内检测漏气情况。
4.根据权利要求1所述的高温二极管制备方法,其特征在于,4步骤之后,所述方法还包括:
电镀;
筛选,进行高温贮存、温度循环、恒定加速度、密封性检查、多余物检测、电流老练、高温反偏实验来判断二极管质量和可靠性;
终测,剔除不符合电参数测试的二极管。
5.一种高温二极管,其特征在于,采用如权利要求1-4任一项所述的高温二极管制备方法制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造