[发明专利]具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片有效
| 申请号： | 202110654853.7 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113594320B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；所述AlN模板层远离所述衬底的表面具有多个第一极性区域和多个第二极性区域，所述第一极性区域和所述第二极性区域沿同一方向交替分布，所述第一极性区域呈铝极性，所述第二极性区域呈氮极性。本公开实施例能够促进载流子的辐射复合，极大地提升了深紫外发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 极性 aln 模板 深紫 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
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