[发明专利]一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110651144.3 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113410312B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;李祖懋;吴冠霖;姚佳佳;孙志鹏;杨雪妍;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L21/329;H01L29/12;H01L29/20;H01L23/373 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮极性面氮化镓共振隧穿二极管材料生长极性控制难度大、位错密度高，器件自热效应及微分负阻效应稳定性和重复性退化问题。其自下而上包括金刚石衬底、SiN过渡层、GaN支撑层、n |
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| 搜索关键词： | 一种 极性 氮化 共振 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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