[发明专利]一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管及其制备方法，光电二极管包括：SiC衬底层；绝缘层，设置于SiC衬底层之上；SiC窗口，贯穿绝缘层至SiC衬底层表面；若干层二硒化钨纳米片，沿SiC窗口的宽度方向层叠设置于所述SiC窗口上，所述二硒化钨纳米片的两端搭载在所述绝缘层上；第一金属电极，位于所述二硒化钨纳米片和所述绝缘层上；第二金属电极，所述第二金属电极的一端搭载在所述绝缘层上，所述第二金属电极的另一端沿所述SiC窗口的内侧壁与所述SiC衬底层接触。本发明的光电二极管具有较快的响应时间和长期稳定性，有利于提升器件的探测能力。此外，本发明的光电二极管展现出从紫外到近红外的宽光谱响应特性，可扩宽该种探测器的使用范围。