[发明专利]一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管，其特征在于，包括：

SiC衬底层；所述SiC衬底层的厚度为200～400μm；

绝缘层，设置于所述SiC衬底层之上；所述绝缘层的厚度为100～300nm；

SiC窗口，贯穿所述绝缘层至所述SiC衬底层表面；

若干层二硒化钨纳米片，沿所述SiC窗口的宽度方向层叠设置于所述SiC窗口上，所述二硒化钨纳米片的两端均搭载在所述绝缘层上，且所述二硒化钨纳米片沿所述SiC窗口的内侧壁与所述SiC窗口内的所述SiC衬底层接触；所述二硒化钨纳米片的厚度为200nm；

第一金属电极，位于所述二硒化钨纳米片和所述绝缘层上；

第二金属电极，所述第二金属电极的一端搭载在所述绝缘层上，所述第二金属电极的另一端沿所述SiC窗口的内侧壁与所述SiC衬底层接触。

2.根据权利要求1所述的基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管，其特征在于，所述SiC衬底层为n型，所述二硒化钨纳米片为p型。

3.根据权利要求1所述的基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管，其特征在于，所述二硒化钨纳米片的长度大于所述SiC窗口的宽度且小于所述SiC窗口的长度。

5.根据权利要求1所述的基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管，其特征在于，所述SiC窗口的长度为20～50μm，所述SiC窗口的宽度为5～10μm。

6.根据权利要求1所述的基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管，其特征在于，所述第一金属电极和所述第二金属电极的材料为金、银、铬、铜、钛中的一种或多种。

7.一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至6任一项所述的光电二极管，所述制备方法包括如下步骤：

选取SiC衬底层；

在所述SiC衬底层上沉积绝缘层；

在所述绝缘层上刻蚀贯穿所述绝缘层至所述SiC衬底层表面的SiC窗口；

将若干层二硒化钨纳米片沿所述SiC窗口的宽度方向层叠转移到所述SiC窗口上，所述二硒化钨纳米片的两端均搭载在所述绝缘层上，且所述二硒化钨纳米片沿所述SiC窗口的内侧壁与所述SiC窗口内的所述SiC衬底层接触；所述二硒化钨纳米片的厚度为200nm；

在所述二硒化钨纳米片和所述绝缘层上沉积第一金属电极，并在所述绝缘层上沉积第二金属电极，所述第二金属电极的一端搭载在所述绝缘层上，所述第二金属电极的另一端沿所述SiC窗口的内侧壁与所述SiC衬底层接触；

对所述SiC衬底层、所述绝缘层、所述SiC窗口、所述二硒化钨纳米片、所述第一金属电极和所述第二金属电极进行退火处理，以制备所述光电二极管。