[发明专利]一种沟槽栅超结VDMOSFET半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110633946.1 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113488388A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 何艳静;王颖;江希;袁嵩;弓小武 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有超结的功率器件VDMOSFET及其制备方法，方法包括：在N+型衬底上生长N型外延层；在N型外延层上形成若干第一沟槽；在N型外延层表面与每个第一沟槽内生长P型外延层；在P型外延层上形成若干第二沟槽；在每个第二沟槽内生长n型外延层；在P型外延层、n型外延层上生长P |
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| 搜索关键词： | 一种 沟槽 栅超结 vdmosfet 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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