[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110630629.4 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN114188269A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 莫尼卡·巴提;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 侯天印;郝博 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法，包括：提供基板，该基板包括第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域；将垫氧化层形成于基板之上；将垫氮化层形成于垫氧化层之上；移除第一区域以及第二区域的垫氧化层以及垫氮化层而裸露出基板的顶面；在第一区域以及第二区域分别形成第一隔离结构以及第二隔离结构；移除第三区域以及第四区域的垫氧化层以及垫氮化层而裸露出顶面；以及在第三区域以及第四区域分别形成第三隔离结构以及第四隔离结构，并同时增加第一隔离结构以及第二隔离结构的厚度。本发明可控制同一工艺中每个元件的击穿电压以及导通电阻，以利降低电路所占的晶圆面积而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
