[发明专利]非易失性存储器及其导电细丝产生方法、设定/重置方法在审
| 申请号： | 202110615514.8 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114267393A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 季明华;张汝京 | 申请（专利权）人： | 青岛昇瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C7/06;G11C7/18;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266426 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器及其导电细丝产生方法、设定/重置方法。该非易失性存储器包括存储器模块阵列以及外围电路，每一个存储器模块均包括存储器单元阵列、具有参考单元阵列的放大电路以及与存储器单元连通的行、列地址译码电路。每一个存储器模块可以做到更小的尺寸。这样的存储器模块阵列使得存储器具有更加紧凑的低阻态电阻和高阻态电阻分布。本发明的非易失性存储器的存储器单元中导电细丝产生方法及设定/重置方法，在向存储单元的第一电极和第二电极之间施加电压脉冲或者电流脉冲的同时，叠加施加信号脉冲。信号脉冲能够加速氧原子或者氧空位的移动，减少了对存储单元的结构损伤，减少存储区单元的滞留，提高器件的可循环性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 导电 细丝 产生 方法 设定 重置 | ||
【主权项】：
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