[发明专利]一种TFT基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110613101.6 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN113327944A 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 张桂瑜;许汉东;王强 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人: 段惠存
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及TFT基板技术领域,特别涉及一种TFT基板及其制造方法,包括玻璃基板,在玻璃基板的一侧面上依次层叠设有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、缓冲层、第一绝缘层、共通电极层和第二绝缘层,在第一绝缘层与缓冲层之间设置第二金属层,第二金属层的竖直截面形状为阶梯状,通过在缓冲层上设计一个阶梯状的金属层做引导,阶梯状的金属层将PI液可流动的渠道被固定,从而减少了PI液流动渠道,有利于将PI液引导扩散到OC洞,使得PI更容易流入OC洞中,进而解决因PI不沾基板导致Fog mura产生的问题。
搜索关键词: 一种 tft 及其 制造 方法
【主权项】:
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