[发明专利]一种TFT基板结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110613097.3 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN113327943A 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 张桂瑜;许汉东;王强 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人: 段惠存
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及TFT基板结构,特别涉及一种TFT基板结构及其制备方法,括玻璃基板,在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层,第二缓冲层位于第一绝缘层和共通电极层之间,钝化层上开设有第二过孔,第一绝缘层上开设有第三过孔,第二缓冲层上开设有第四过孔,第二绝缘层上开设有第五过孔,第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔构成一个OC洞,使得OC洞的横截面增大,这样PI液可流动扩散的道路变宽,使得PI液更容易扩散流入OC洞,从而解决因PI不沾导致Fog mura产生的问题。
搜索关键词: 一种 tft 板结 及其 制备 方法
【主权项】:
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