[发明专利]一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置在审
| 申请号： | 202110608171.2 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113293438A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈启生;许学仁 | 申请（专利权）人： | 中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明申请公开了一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，包括加热线圈、翻转装置和组合坩埚；所述组合坩埚包括第一石墨坩埚和第二石墨坩埚，所述第一石墨坩埚和第二石墨坩埚分别具有独立的供SiC单晶生长的生长腔室；所述翻转装置作用下所述组合坩埚可在竖直平面内绕其中部对称旋转。本发明申请通过采用双石墨坩埚对称组合设置，并引入翻转装置，在碳化硅单晶生长过程中进行180度间断式翻转，使得碳化硅原粉可以在加热升华一段时间后实现上部粉末和下部粉末的倒置，实现粉末的及时有效混合和充分利用，从而解决碳化硅原粉加热升华一段时间后的富碳问题，确保获得高质量的碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双生 长腔室 翻转 sic 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司，未经中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110608171.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
