[发明专利]一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置

权利要求书

1.一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，包括加热线圈、翻转装置和组合坩埚；所述组合坩埚包括第一石墨坩埚和第二石墨坩埚，所述第一石墨坩埚的底部和第二石墨坩埚的底部相邻固定，所述第一石墨坩埚和第二石墨坩埚分别具有独立的供SiC单晶生长的生长腔室；所述加热线圈分别独立置于所述第一石墨坩埚和第二石墨坩埚外侧；所述翻转装置通过支撑杆分别与所述组合坩埚的中部和端部连接，所述组合坩埚可在竖直平面内绕其中部对称旋转。

2.根据权利要求1所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述第一石墨坩埚和第二石墨坩埚的底部分别设有可供装填碳化硅原粉的第一石墨底盖和第二石墨底盖。

3.根据权利要求2所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述第一石墨底盖和所述第二石墨底盖之间设有可控制连通或关闭的石墨隔板。

4.根据权利要求1所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述第一石墨坩埚包括第一原粉腔室、第一生长腔室和第一籽晶托，所述第一原粉腔室和第一籽晶托分别位于所述第一石墨坩埚的两端；所述第二石墨坩埚包括第二原粉腔室、第二生长腔室和第二籽晶托，所述第二原粉腔室和第二籽晶托分别位于所述第二石墨坩埚的两端。

5.根据权利要求4所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述第一原粉腔室和所述第二原粉腔室对称设置，均位于所述组合坩埚的中部。

6.根据权利要求4所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述第一原粉腔室包括位于中间的第一主粉仓和位于两侧的第一辅助粉仓，所述第一主粉仓和第一辅助粉仓相通，所述第一辅助粉仓的高度超过所述第一主粉仓，所述第一辅助粉仓设有至少一个伸向所述第一生长腔室的第一水平气管，所述第一水平气管表面均布有气孔，所述第一水平气管与所述第一辅助粉仓内部相通处设有第一挡板，所述第一挡板为仅可供气体通过的多孔石墨挡板。

7.根据权利要求4所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述第二原粉腔室包括位于中间的第二主粉仓和位于两侧的第二辅助粉仓，所述第二主粉仓和第二辅助粉仓相通，所述第二辅助粉仓的高度超过所述第二主粉仓，所述第二辅助粉仓设有至少一个伸向所述第二生长腔室的第二水平气管，所述第二水平气管表面均布有气孔，所述第二水平气管与所述第二辅助粉仓内部相通处设有第二挡板，所述第二挡板为仅可供气体通过的多孔石墨挡板。

8.根据权利要求4所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述组合坩埚处于竖直静止状态时，所述第一原粉腔室的第一辅助粉仓中存放的原粉高度低于所述第一水平气管，所述第二原粉腔室的第二辅助粉仓中存放的原粉高度低于所述第二水平气管。

9.根据权利要求1所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述组合坩埚在旋转开始前或结束后均处于竖直位置。

10.根据权利要求1所述的一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置，其特征在于，所述翻转装置控制所述组合坩埚以顺时针或逆时针间断式旋转，单次连续旋转固定角度180度。