[发明专利]高亮度发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110604200.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113594318B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;吴志浩;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种高亮度发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。高亮度发光二极管芯片：所述衬底的第二表面具有开口槽，所述开口槽从所述第二表面延伸至所述衬底的内部，且所述开口槽围绕所述第二表面的外周壁布置；所述高亮度发光二极管芯片还包括设置在所述开口槽内的填充层，所述填充层为掺有金刚石颗粒的氧化硅层。采用该芯片可以使得LED芯片划裂后的各个LED单元的横截面呈现矩形，提高各个LED单元的出光对称性。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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