[发明专利]高亮发光二极管芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110601592.2 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113571618A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 卫婷;尹灵峰;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种高亮发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的P型电极包括P型焊盘和P型手指，P型手指的一端与P型焊盘连接，P型手指的另一端向远离P型焊盘的方向延伸，P型手指包括交替连接的多段第一手指和多段第二手指，相邻两段第一手指之间通过一段第二手指连接；N型手指和P型手指在衬底上的正投影，位于N型焊盘和P型焊盘在衬底上的正投影之间，且多段第一手指在衬底上的正投影与N型手指在衬底上的正投影平行，从P型焊盘至N型焊盘方向，多段第一手指在衬底上的正投影至N型手指在衬底上的正投影之间的距离逐渐增大。该芯片可以缩短P型手指与芯片边缘间距，增大芯片边缘发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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