[发明专利]半导体结构在审
申请号: | 202110601162.0 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN114689665A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 蔡明志;张祐维 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12;G01N27/30 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘金凤;韩嫚嫚 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体结构。半导体结构包含基板;半导体结构也包含感测电极,感测电极设置于基板上,且被区分为多个感测区块;半导体结构更包含感测层,感测层设置于感测区块之间;感测层包含金属氧化物部分及氮化硼部分,氮化硼部分披覆于金属氧化物部分上。在本发明的半导体结构中,氮化硼部分提供金属氧化物保护,以降低金属氧化物在侦测环境时受到环境因子的影响,并保有金属氧化物良好的感测性能。同时,氮化硼具有良好的热传导性,对需要设置加热装置的半导体感测装置,或者一般室温型的半导体感测装置皆十分适合。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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