[发明专利]半导体结构

说明书

本发明提供一种半导体结构。半导体结构包含基板；半导体结构也包含感测电极，感测电极设置于基板上，且被区分为多个感测区块；半导体结构更包含感测层，感测层设置于感测区块之间；感测层包含金属氧化物部分及氮化硼部分，氮化硼部分披覆于金属氧化物部分上。在本发明的半导体结构中，氮化硼部分提供金属氧化物保护，以降低金属氧化物在侦测环境时受到环境因子的影响，并保有金属氧化物良好的感测性能。同时，氮化硼具有良好的热传导性，对需要设置加热装置的半导体感测装置，或者一般室温型的半导体感测装置皆十分适合。

技术领域

本公开实施例是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种包含具有氮化硼的感测层的半导体感测结构。

背景技术

常见的环境侦测器可分为频率型侦测器(例如，石英晶体微天平(quartz crystalmicrobalance,QCM))、电流型侦测器(例如，光离子化侦测器(photoionisation detector,PID))或电阻型侦测器(例如，金属氧化物半导体化学电阻(MOX chemiresistor))。由于金属氧化物半导体可涂布于位于最外层结构的感测电极进行感测，且容易与微电子装置整合，故非常适合用于大量制造微型化的气体传感器。

然而，金属氧化物半导体在侦测环境时容易被环境因子影响，导致感测性能不理想。因此，如何于侦测环境的同时，保有金属氧化物半导体的感测功能、并进一步延长使用寿命，是目前业界努力的目标。

发明内容

本公开实施例是有关于一种将氮化硼(boron nitride)应用于金属氧化物上的半导体(感测)结构。在本公开实施例的半导体结构中，氮化硼提供金属氧化物保护，以降低金属氧化物在侦测环境时受到环境因子的影响，并保有金属氧化物良好的感测性能。同时，氮化硼具有良好的热传导性，对需要设置加热装置的半导体感测装置，或者一般室温型的半导体感测装置皆十分适合。

本公开实施例包含一种半导体结构。半导体结构包含基板；半导体结构也包含感测电极，感测电极设置于基板上，且被区分为多个感测区块；半导体结构还包含感测层，感测层设置于感测区块之间；感测层包含金属氧化物部分及氮化硼部分，氮化硼部分披覆于金属氧化物部分上。

附图说明

以下将配合所附附图详述本公开实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，组件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。

图1A是显示根据本公开一实施例制造半导体结构在一阶段的部分俯视图。

图1B是显示根据本公开一实施例制造半导体结构在一阶段的部分剖面图。

图2是显示根据本公开一实施例制造半导体结构在一阶段的部分剖面图。

图3是显示根据本公开一实施例制造半导体结构在一阶段的部分剖面图。

图4是显示根据本公开一实施例的半导体结构的部分剖面图。

图5是显示根据本公开另一实施例的半导体结构的俯视图。

图6显示半导体结构的疏水层的另一范例。

图7显示半导体结构的疏水层的另一范例。

图8是显示根据本公开另一实施例的半导体结构的部分剖面图。

图9是显示根据本公开另一实施例的半导体结构的部分俯视图。

附图标号说明：

100，102：半导体结构

10：基板

20：感测电极

20S：感测区块

30：绝缘层