[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

基板；

感测电极，设置于所述基板上，且被区分为多个感测区块；

感测层，设置于所述多个感测区块之间，其中所述感测层包括金属氧化物部分及氮化硼部分，所述氮化硼部分披覆于所述金属氧化物部分上。

2.如权利要求书1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属氧化物部分包括金属青铜类氧化物。

3.如权利要求书1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

附着层，设置于所述感测层与所述感测电极之间。

4.如权利要求书3所述的半导体结构，其特征在于，所述附着层包括带电离子。

5.如权利要求书3所述的半导体结构，其特征在于，所述附着层包括季铵、叔胺、仲胺、伯胺或前述的组合。

6.如权利要求书1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

绝缘层，设置于所述感测层与所述基板之间。

7.如权利要求书6所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层包括苯环丁烯、环氧树脂、聚酰亚胺、氮化铝或氮化硅。

8.如权利要求书1所述的半导体结构，其特征在于，所述感测层进一步设置于所述多个感测区块上。

9.如权利要求书8所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

疏水层，设置于所述感测层的顶表面上。

10.如权利要求书9所述的半导体结构，其特征在于，所述疏水层包括硅烷。

11.如权利要求书9所述的半导体结构，其特征在于，所述疏水层与所述感测层的顶表面的接触面积与所述感测层的顶表面的比例介于10％至90％。

12.如权利要求书1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

疏水层，对应设置于所述感测电极与所述感测层上。