[发明专利]三维存储器、三维存储器的制备方法及存储系统

摘要

本申请提供一种三维存储器及其制备方法以及存储系统。制备方法包括：在限定有预设区的衬底上形成第一叠层结构；在第一叠层结构与预设区对应的部分形成第一过渡沟道孔，采用第一填充物填充第一过渡沟道孔；在第一叠层结构上形成第二叠层结构；在第二叠层结构的、与第一过渡沟道孔对应的部分形成第二过渡沟道孔，第二过渡沟道孔与第一过渡沟道孔至少部分对准以形成过渡沟道孔；采用第二填充物填充第二过渡沟道孔，第一过渡沟道孔的孔径尺寸大于第二过渡沟道孔的孔径尺寸。根据该方法制备的过渡沟道结构可为在后续形成栅极的过程中去除栅极牺牲层的操作提供结构支撑，并为后续形成的多个字线接触中与过渡沟道结构间隔设置的部分预留足够的形成空间。