[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110593985.3 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113764521A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 迫纮平;高桥彻雄;藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。半导体装置具有彼此相邻地设置于半导体基板的IGBT区域及二极管区域，该半导体装置具有：边界沟槽，其在俯视观察时在IGBT区域和二极管区域相邻的位置处，具有位于比有源沟槽或哑沟槽深的漂移层处的底面，边界沟槽具有将底面和第1主面连接且彼此相对的一个侧壁及另一个侧壁；以及边界沟槽栅极电极，其隔着边界沟槽绝缘膜面向基极层、阳极层及漂移层，在底面、一个侧壁和另一个侧壁被边界沟槽绝缘膜覆盖的边界沟槽的内部，遍及面向漂移层的区域且从边界沟槽的一个侧壁遍及至另一个侧壁而设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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