[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110587354.0 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113327914A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 薛广杰 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L21/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体器件及其制造方法中，由于在第一基底的侧壁和朝向所述第二基底的表面上形成有第一氮化层，第一基板上的第一氮化层即可用于对基板进行隔离保护，其中，第一氮化层不仅能够保护第一基板的侧壁，尤其能够对第一基板朝向第二基板的表面进行保护。同时，第一氮化层还可用于与第二基板上的第二氮化层相互键合，从而实现了第一基板和第二基板的键合集成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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