[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供的一种半导体器件及其制造方法中，由于在第一基底的侧壁和朝向所述第二基底的表面上形成有第一氮化层，第一基板上的第一氮化层即可用于对基板进行隔离保护，其中，第一氮化层不仅能够保护第一基板的侧壁，尤其能够对第一基板朝向第二基板的表面进行保护。同时，第一氮化层还可用于与第二基板上的第二氮化层相互键合，从而实现了第一基板和第二基板的键合集成。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着集成度不断提高，单片半导体器件上的器件单元数量急剧增加，半导体器件面积增大，单元间连线的增长既影响电路工作速度又占用很多面积，严重影响集成电路进一步提高集成度和工作速度，于是产生三维集成的新技术思路。三维集成具有：提高封装密度、提高电路工作速度以及可实现新型多功能器件及电路系统等优点。

但是三维集成键合后的半导体器件，其重量较重，厚度较厚，这违背了人们追求的轻薄化半导体的目的。此外，对于有些半导体器件来说，在制备过程中，必须进行减薄处理，例如背照式图像传感器。为此，在三维集成键合工艺中，通常需要对三维集成键合形成的半导体器件进行减薄。而在使用湿法刻蚀工艺刻蚀减薄晶圆过程中，刻蚀液会侵蚀半导体器件的侧壁和/或表面，从而导致通过该湿法刻蚀减薄工艺制备而成的半导体器件受损，性能下降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，以解决现有的背照式图像传感器制备过程中受损，而性能降低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件，包括：相互键合的第一基底和第二基底；

其中，所述第一基底上形成有第一氮化层，所述第一氮化层覆盖所述第一基底的侧壁和朝向所述第二基底的表面上，以利用所述第一氮化层从所述第一基底的侧壁保护所述第一基底；以及，所述第二基底上形成有第二氮化层，所述第二氮化层形成在所述第二基底的朝向所述第一基底的表面上，并利用所述第一氮化层和所述第二氮化层相互键合以键合所述第一基底和所述第二基底。

可选的，所述第一氮化层和所述第二氮化层的材料包括氮化硅或氮氧化硅。

可选的，所述第一氮化层的厚度为所述第二氮化层的厚度为

可选的，所述半导体器件还包括应力缓冲层，所述应力缓冲层至少形成在所述第一基底的侧壁上，且位于所述第一基底和所述第一氮化层之间。

可选的，所述应力缓冲层的材料包括氧化硅。

可选的，所述应力缓冲层的厚度为

为解决上述问题，本发明还提供一种半导体器件的制造方法，包括，

提供第一基底，并在所述第一基底的侧壁和表面上形成第一氮化层；

提供第二基底，并在所述第二基底的表面上形成第二氮化层；

键合所述第一氮化层和所述第二氮化层，以键合所述第一基底和所述第二基底；

对所述第一基底执行湿法刻蚀工艺，以减薄所述第一基底，并在刻蚀过程中利用所述第一氮化层阻挡刻蚀剂侵蚀所述第一基底的侧壁，以及阻挡所述刻蚀剂侵蚀所述第一基底和所述第二基底相互键合的表面。

可选的，形成所述第一氮化层和所述第二氮化层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

可选的，在所述第一基底的侧壁和表面上形成第一氮化层之前，所述方法还包括：

至少在所述第一基底的侧壁上形成应力缓冲层。

可选的，在所述第一基底的侧壁和表面上形成第一氮化层之后，所述方法还包括：

在所述第一氮化层上形成第一介质层；