[发明专利]一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管在审
| 申请号： | 202110580713.X | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113380875A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张景文;刘静楠;时明月;王燕;张恒清;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/861 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，包括原胞结构，原胞结构自下而上分别为N型欧姆接触电极、N型掺杂衬底、N型掺杂缓冲层、P型基区、P型掺杂发射层和P型欧姆接触电极，P型基区为碳化硅耐压基区，采用碳化硅作为P型基区，且P型基区厚度为14～22μm，非平衡载流子的运输路径大大缩短，从而减小了脉冲前沿的时间，增大了输出脉冲的电压值。同时减小了DSRD器件的损耗，大大减小DSRD器件体积，缩小脉冲系统的体积。采用碳化硅作为P型基区，能够增大器件耐压，减小开关时间，不仅可以解决单片DSRD电压脉冲峰值低、功耗大的问题，也可以减少超快脉冲系统中串联DSRD器件的数量，从而减小系统体积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 碳化硅 漂移 阶跃恢复二极管 | ||
【主权项】：
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