[发明专利]存储器器件以及形成存储器器件的方法在审
| 申请号： | 202110571910.5 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113725356A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 黎佳俊;卓荣发;陈学深 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器器件以及形成存储器器件的方法。提供了一种存储器器件，包括：基底绝缘层；底部电极，其布置在基底绝缘层内；基本平面的开关层，其布置在基底绝缘层上方；以及基本平面的顶部电极，其布置在开关层上方的相对于底部电极横向偏移的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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